Diod: Perbezaan antara semakan

 

== Sejarah ==

 

 

Pada ketika ciptaan mereka itu, peranti tersebut dikenali sebagai [[penerus]] atau rektifier. Pada [[1919]], [[William Henry Eccles]] menerbitkan perkataan '''diod''' dari perkataan Yunani; ''di'' bermaksud 'dua', dan ''ode'' bermaksud 'laluan'.

 

== Diod termionik atau keadaan gas ==

Diod termionik adalah peranti [[tiub vakum]] (juga dikenali sebagai [[injap termionik]]), yang susunan elektrod dikelilingi oleh vakum dalam sampul kaca, serupa seperti [[lampu pijar]].

 

== Diod semikondutor ==

 

 

Lengkok cirian arus-[[voltan]] atau I-V diod semikonduktor disebabkan oleh keadaan yang dipanggil ''[[medan runtuh|lapisan runtuh]]'' atau ''medan runtuh'' yang wujud di [[simpang p-n]] antara semikonduktor yang berbeza. Apabila simpang p-n tercipta, jalur pengkonduksian elektron (bergerak) dari kawasan terdop-N ke kawasan terdop-P yang mempunyai banyak lohong (tempat bagi elektron mengisinya) yang "digabungkan semula" dengan elektron. Apabila elektron yang bergerak bergabung semula ke dalam lohong, lohong akan menghilang dan elektron tersebut tidak akan bergerak. Maka, dua pembawa cas telah hilang. Kawasan sekita simpang p-n menjadi runtuh atau berkurangan [[pembawa cas]] lalu bertindak sebagai [[penebat]].

Bagi diod silikon, keupayaan terbina dalam dianggarkan 0.6V. Maka, jika arus luaran melalui diod, lebih kurang 0.6V akan terbentuk merentasi diod apabila kawasan terdop-P adalah positif terhadap kawasan terdop-N dan diod dikatakan 'terpasang'.

 

Cirian I-V diod boleh dianggarkan oleh dua kawasan operasi. Di bawah beza keupayaan tertentu di antara dua arah, lapisan runtuh mempunyai lebar yang jelas, dan diod boleh dianggap seperti litar terbuka (tidak mengalirkan arus). Apabila beza keupayaan meningkat, pada satu tahap, diod akan mula membenarkan cas mengalir yang kini ia boleh dianggap sebagai penghubung dengan rintangan sifar (atau sekurang-kurangnya sangat kecil). Lebih tepat lagi, ([[fungsi pindahan]]) adalah berentak [[logaritma]], tetapi terlalu tajam sehingga ia kelihatan seperti lengkok sudut yang dilihat dari jauh.

 

Merujuk imej cirian I-V, pada kawasan pincang songsang bagi diod penerus P-N yang biasa, arus merentasinya sangat rendah (dalam julat µA) bagi semua voltan songsang hingga ke titik yang dipanggil voltan-songsang-puncak (PIV). Menjelang titik ini, satu proses yang dipanggil runtuhan songsang berlaku yang menyebabkan peranti dimusnahkan dengan penambahan arus yang tinggi. Bagi diod yang tertentu seperti diod runtuh atau zener, konsep PIV tidak digunapakai memandangkan ia mempunyai runtuhan sendiri melepasi arus songsang tertentu seolah-olah voltan songsang ditetapkan pada nilai yang diketahui (yang dikenali sebagai voltan zener). Peranti tersebut, walau bagaimanapun, mempunyai had maksimum bagi arus dan kuasa dalam medan Zener.

 

 

''Persamaan diod Shockley'' (dinamakan sempena nama [[William Bradford Shockley]]) adalah cirian I-V bagi diod unggul sama ada pincang hadapan ataupun songsang (ataupun tidak berpincang). Ia diterbitkan dari andaian yang satu-satunya proses untuk meningkatkan arus dalam arus adalah hanyutan, pembauran, dan penjanaan-penggabungan-semula suhu. Ia juga mengandaikan yang arus penjanaan-penggabungan-semula dalam medan runtuh adalah tidak jelas. Ini bermakna yang persamaan Shockley tidak mengambil kira proses yang terlibat dalam runtuhan songsang dan penjanaan-penggabungan-semula yang melibatkan foton. Sebagai tambahan, ia tidak menerangkan "penidak-rataan" lengkok I-V bagi pincang hadapan yang tinggi yang disebabkan rintangan dalam dan tidak menerangkan sisihan yang praktikal pada pincang hadapan yang sangat rendah terhadap arus penjanaan-penggabungan-semula dalam medan runtuh.

[[tr:Diyot]]

[[uk:Діод]]

[[zh-yue:二極管]]

[[zh:二極體]]