Lpd3090
| Selamat datang ke Wikipedia Bahasa Melayu! |
|---|
| Salam sejahtera Lpd3090! Terima kasih kerana mendaftar di Wikipedia Bahasa Melayu! Berikut merupakan beberapa pautan yang dapat anda layari jika masih baru di Wikipedia:
Lihat juga tutorial dan meja bantuan Wikipedia. Untuk menandatangani pesanan anda pada laman perbualan, seperti laman ini, letakkan ~~~~ (empat kali tanda gelombang) atau klik butang |
Memori tak meruap sunting
Memori tak meruap, penyimpanan tak meruap ingatan, NVM atau tidak-menentu adalah memori komputer yang boleh menyimpan maklumat yang disimpan walaupun tidak dikuasai. Contoh ingatan tidak meruap termasuk ingatan baca sahaja, ingatan kilat, RAM ferroelektrik (F-RAM), kebanyakan jenis pengstoran magnet komputer (contohnya cakera keras, cakera liut, dan pita magnetik), cakera optik, dan kaedah penyimpanan komputer awal seperti pita kertas dan kad menumbuk.
Memori tak meruap yang biasanya digunakan untuk tugas storan sekunder, atau simpanan jangka panjang yang berterusan. Bentuk yang paling banyak digunakan penyimpanan rendah hari ini adalah satu bentuk yang tidak menentu memori capaian rawak (RAM), yang bermaksud bahawa apabila komputer ditutup, apa pun yang terkandung dalam RAM akan hilang. Malangnya, kebanyakan bentuk ingatan tidak meruap mempunyai had-had yang membuat mereka tidak sesuai untuk digunakan sebagai storan utama. Biasanya, memori tak meruap sama ada kos lebih atau melaksanakan lebih teruk daripada memori akses rawak yang tidak menentu.
Beberapa syarikat sedang berusaha untuk membangunkan sistem memori yang tidak meruap setanding dalam kelajuan dan kapasiti RAM tidak menentu. IBM kini sedang membangunkan MRAM (Magnetoresistive RAM). Bukan sahaja teknologi sedemikian akan menjimatkan tenaga, tetapi ia akan membolehkan komputer yang boleh dihidupkan dan dimatikan serta - merta, tanpa urutan permulaan dan penutupan kelambatan. Di samping itu, Ramtron Antarabangsa telah membangunkan, menghasilkan, dan melesenkan ferroelektrik RAM (F-RAM), satu teknologi yang menawarkan hartanah yang berbeza daripada pilihan memori tak meruap yang lain, termasuk daya tahan yang sangat tinggi (melebihi 10^16 untuk 3.3 peranti V), penggunaan kuasa yang rendah ultra (sejak F-RAM tidak memerlukan pam caj seperti kenangan bukan meruap yang lain), kelajuan tulis kitaran tunggal, dan toleransi radiasi gama. Syarikat-syarikat lain yang telah melesenkan dan menghasilkan F-RAM teknologi termasuk Texas Instruments, Rohm, dan Fujitsu.
Penyimpanan data tidak meruap boleh dikategorikan dalam sistem elektrik ditangani (ingatan baca sahaja) dan mekanikal ditangani sistem (cakera keras, cakera optik, pita magnetik, memori holografik, dan apa-apa). Sistem yang ditangani elektrik mahal, tetapi cepat, manakala sistem yang ditangani mekanikal mempunyai harga yang rendah per bit, tetapi perlahan. Memori tidak menentu satu hari boleh menghapuskan keperluan bagi bentuk perbandingan perlahan sistem storan sekunder, yang termasuk cakera keras.